真谛直这也使得软体床成为无数家庭的新选择。

该研究工作得到了国家自然科学基金、真谛直广西自然科学基金杰出青年基金、真谛直广西百人计划、广西自然科学留学回国重点基金、广西大学相对论天体物理重点实验室、广西有色金属及特色加工国家重点实验室（培育）、中组部西部之光访问学者计划等的共同资助。随着集成化、真谛直微型化、低成本的薄膜电容器需求的日益巨增，发展直接生长在硅基衬底上的高性能无铅介电薄膜变得十分迫切。

真谛直四川大学专职博士后陈潇洋博士为本文的第一作者。长期以来，真谛直该技术并没有得到较大发展。通过使用该死层，真谛直可以将Ba0.3Sr0.7Zr0.18Ti0.82O3(BSZT)无铅薄膜的击穿电场由5.4MV/cm提升至6.3MV/cm，其储能密度由64.9J/cm3提升至89.4J/cm3（如图1所示）。

成果简介近日广西大学纳米能源研究中心的彭彪林教授（通讯作者）与四川大学材料科学与工程学院的余萍教授（通讯作者）、真谛直中国科学院北京纳米能源与系统研究所的王中林院士（通讯作者）、真谛直西班牙巴斯克材料研究中心的张奇教授等进行合作，从死层的电学性质和能带结构两方面进行了系统的深入探究，提出高阻层（死层）在电学性质上应具备高线性介电、高绝缘的特性，在能带结构上应具备电子注入势垒高的特性，并首次提出使用Ca0.2Zr0.8O1.8作为新型的人造死层。真谛直目前所报道直接生长在硅基底上的无铅介电薄膜无论在储能密度还是在储能效率等方面仍然无法与生长在STO等单晶衬底上的无铅介电薄膜一较高低。

同时，真谛直薄膜的温度稳定性和疲劳特性也得到了显著的提升。

前言目前无铅介电薄膜在储能密度上获得了非常大的进展，真谛直所报道的储能密度值（~86至166J/cm3）已高于铅基薄膜所报道的最高值（~85J/cm3）。真谛直2016广州国际音响唱片展于18日至20日在广州东方宾馆与中国大酒店举行。

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